①大尺度法。經過增大單體LED的有用發光面積和尺度，促進流經TCL層的電流均勻分布，http://m.fssuifeng.cn 以到達預期的光通量。但是，簡單地增大發光面積無法處理散熱疑問和出光疑問，并不能到達預期的光通量和實踐使用作用。

　　②矽底板倒裝法。首要制備出適合共晶焊接的大尺度LED芯片，同時制備出相應尺度的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金導電層及引出導電層（超聲金絲球焊點），再使用共晶焊接設備將大尺度LED芯片與矽底板焊接在一起。這樣的布局較為合理，既思考了出光疑問又思考到了散熱疑問，這是當前干流的大功率LED的生產方式。

　　美國Lumileds公司于2001年研發出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）布局，其制作流程是：首要在外延片頂部的P型GaN上淀積厚度大于500A的NiAu層，用于歐姆觸摸和背反射；再選用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，顯露N型層；經淀積、刻蝕構成N型歐姆觸摸層，芯片尺度為1mm×1mm，P型歐姆觸摸為正方形，N型歐姆觸摸以梳狀刺進其間，這樣可縮短電流拓展間隔，把拓展電阻降至最小；然后將金屬化凸點的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管（ESD）的矽載體上。

　　③陶瓷底板倒裝法。先使用LED芯片通用設備制備出具有適合共晶焊接電極布局的大出光面積的LED芯片和相應的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導電層及引出導電層，然后使用共晶焊接設備將大尺度LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的布局既思考了出光疑問也思考到了散熱疑問，而且選用的陶瓷底板為高導熱陶瓷板，散熱作用十分理想，報價又相對較低，所認為當前較為適宜的底板資料，并可為將來的積體電路一體化封裝預留空間。

　　④藍寶石襯底過渡法。依照傳統的InGaN芯片制作辦法在藍寶石襯底上生長出PN結后，將藍寶石襯底切除，再銜接上傳統的四元資料，制作出上下電極布局的大尺度藍光LED芯片。

　　⑤AlGaInN碳化矽（SiC）反面出光法。美國Cree公司是全球僅有選用SiC襯底制作AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產的AlGaInN/SiCa芯片布局不斷改進，亮度不斷提高。因為P型和N型電極別離坐落芯片的底部和頂部，選用單引線鍵合，相容性較好，使用方便，因此變成AlGaInNLED開展的另一干流產品。斯諾光電：http://m.fssuifeng.cn